DIODA SEMIKONDUKTOR

Dioda semikonduktor di bentuk dengan cara menyambungkan semikonduktor tipe p dan semikonduktor tipe n.Pada saat trjadinya sambungan (junction) p dan n,hole-hole pada bahan p dan elektron-elektron pada bahan n di sekitar sambungan cendrung untuk brkomunikasih.Hole dan elektron yang berkomunikasih ini saling meniadakan,sehingga pada daerah sekitar sambungan ini kosong dari pembawa muatan dan terbentuk daerah pengosongan (depletion region).Oleh karna itu pada sisi p tinggal ion-ion akseptor yang bermuatan negatif dan pada sisi n tinggal ion-ion donor yang bermuatan positip.Namun proses ini tidak berlangsung terus,karna potensial dari ion-ion positip dan negatip ini akan menghalangi.Tegangan atau potensial ekivalen pada daerah pengosongan ini disebut dengan penghalang (barrier potential).Besarnya teggangan penhalang ini adalah 0.2 untuk germanium dan 0.6 untuk silikon.

Suatu dioda bisa diberi bias mundur adalah pemberian teggangan negatif diinginkan.Bias mundur adalah pemberian teggangan negatif batrai ke terminal anoda (A)dan tggangan positip ke terminal katoda (K)dari suatu dioda.Dengan kata lain,teggangan anoda katoka adalah negatip.Abila teggangan positip di hubungkan ke terminal anoda (A)dan negatip ke terminal katoda (K),maka dioda disebut mendapatkan bias maju (foward bias).

Kurva karakteristik dioda

hubungan antara bsarnya arus yang mengalir dioda

dengan teggangan VA-K dapat dilihat pada kurva karasteristik dioda

menunjukan dua macam kurva ,yakni dioda germanium (Ge)

dan dioda silikon (Si). Pada saat dioda di beri bias maju,

yakni bila VA-K psitip ,maka arus ID akan naik dengan cepat setelah VA-K mrncapai teggangan cut-in (V) teggangan cut-in (V) ini kira-kira sebesar o.2 volt untuk dioda germanim dan o,6 volt untuk dioda silikon. dengan pemberian teggangan batrai sebesar ini, maka potensial penghalang (berrier potential) pada prsambungan akan teratasi,sehingga harus dioda mulai mengalir dengan cepat.Bagian kiri bawah dari grapik.Merupakan kurva karak teristik dioda saat mendapatkan bias mundur.Di sini juga trdapat dua kurva,yaitu untuk dioda

germanium dan silikon.Besarnya arus jenuh mundur (reverse saturation curent) Is

untuk dioda gemanium adalah dalam orde mikro amper dalam contoh

ini adalah 1 A.Sedangkan untuk dioda silikon Is adalah dalam orde nano amper dalam hal ini adalah 10 nA.Apabilah tegangan